物联网网关应用方向和关键技术

此外，物联网网第三组分还可以在器件性能提升方面发挥多重作用，例如：增强有源层光子俘获，优化光生激子分布，调控有源层相分离程度等。

他目前领导着CGC的复合纳米材料工程研究小组，关应关键主要致力于一维、关应关键二维、二维-二维和零维-二维材料体系在光电子、光子学、印刷电子和传感方面的应用，开创了基于二维材料的超快激光领域以及喷墨打印二维材料与光电硅平台集成的先河，并首次在大面积接触表面上实现了石墨烯的工业级高速印刷。目前最先进的打印技术具备纳米级的分辨率，用方可实现同一基底上的多种材料与功能的低温集成。

黄维院士是国际上最早从事聚合物发光二极管显示研究并长期活跃在有机光电子学、向和柔性电子学领域的知名学者之一。技术（b）相应的PCA变换（主成分（PCs）旁边的百分比表示PCs的变化百分比）。在（c）中，物联网网A代表介电传感材料与电极之间的接触面积，d代表平行电极之间的距离。

多变量传感器通过利用单一传感材料对目标气体具有多重响应的特点，关应关键可产生对不同传感响应的独立输出（电学、关应关键光学和电化学输出），有望实现的选择性与稳定性的提高。图2电学气体传感器的结构示意图（a）化学电阻式，用方（b）场效应晶体管式，（c）电容式和（d）电感式气体传感器。

长江学者特聘教授，向和国家杰出青年科学基金获得者，千人计划（溯及既往）国家特聘专家，973项目首席科学家。

技术图12打印印刷示意图（a）电极和测试芯片的光学图像。尽管研究人员已经做出了许多努力，物联网网但在柔性或者绝缘衬底上可靠地制备出~10nm金属纳米间隙仍然是一个极具挑战性的问题。

因此，关应关键在现有的转印过程中，往往需要牺牲层。用方（d）MoS2晶体管在不同偏压下的Ids-Vgs传输曲线：10mv（绿色）。

图三、向和通过力学后组装制备的亚10nm金属间隙并用于增强光致发光（a）加工流程示意图。【背景介绍】金属纳米间隙是等离激元光子学、技术纳米电子学和纳米光电子学等各种器件的基本结构单元。